近期，国际综合类顶级期刊《科学·进展》（Science Advances）、材料类顶级期刊《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）连续报道我校材料科学与工程学院曾海波&陈嘉伟团队关于近红外量子点发光二极管系列重要研究进展。
近红外量子点（发射波长>750 nm）因其窄的发射光谱和优异的溶液加工性，广泛应用于夜视、生物成像和生物临床等领域。近年来，以FAPbI3量子点为代表的近红外量子点发光二极管（QLED）取得了显著突破，外量子效率（EQE）已超过20%。然而，已报道的QLED仍存在辐射亮度有限（低于30000 mW sr−1 m−2）、工作寿命较短（在初始辐射亮度为1000 mW sr−1 m−2时仅为100-120分钟），且效率滚降严重（在30 mA cm−2电流密度下EQE下降至10%以下），进一步阻碍了其发展与产业化进程。
曾海波&陈嘉伟团队相继提出量子点表面原子级修复、表面氢键网络构建等系列策略，大幅度刷新了FAPbI3近红外QLED的各项性能。器件的辐射亮度超过155000 mW sr−1 m−2，工作寿命达2400 min（初始辐射亮度为1000 mW sr−1 m−2），EQE超过23%（100 mA cm−2下EQE依然保持20%，200 mA cm−2下EQE超过15%），电致发光峰位于789 nm、半峰宽窄至42 nm。以上器件性能代表了FAPbI3近红外QLED的最长发光波长以及最窄发光峰，其辐射亮度相较于领域纪录提升5倍，滚降表现提升7倍，运行寿命提升15-20倍。
该系列工作得到了国家自然科学基金（62504114，U24A20286，62261160392，U25A20523）、国家重点研发计划专项（22024YFB3612400）、中央高校基本科研业务费（30925020228）等项目基金支持。
论文1信息：Chen, J. et al.Mitigating Surface Structural Disorder for High-performance Near-Infrared Quantum Dot Light-Emitting Diodes.Science Advances,12, 2635 (2026).
论文1链接：https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.aeg2635
论文2信息：Chen, J. et al.Surface Hydrogen-Bond Network Construction in Perovskite Quantum Dots for Bright and Stable Near-Infrared Light-Emitting Diodes. Advanced Functional Materials,e76696 (2026).
论文2链接：https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.76696
